کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1497634 | 1510801 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative optical study of Eu3+ ions doping in InGaN/GaN quantum dots and GaN layer grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on a comparative optical study of InGaN:Eu quantum dots (QDs) and GaN:Eu layer grown by molecular beam epitaxy (MBE). Analysis of the 5D0 â 7F2 transition as a function of the excitation wavelength shows that Eu3+ ions in InGaN:Eu QDs are located inside InGaN QDs and also in the GaN barrier layer. The existence of Eu3+ ions in the GaN barrier layer is explained by Eu segregation/diffusion during growth. For Eu3+ ions located inside InGaN QDs the photoluminescence (PL) shows only a slight decrease with temperature from 5 K to 300 K. In contrast, the PL from Eu3+ ions in the GaN barrier layer or in GaN thick layer shows a much more pronounced thermal quenching.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6â7, May 2006, Pages 775-779
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6â7, May 2006, Pages 775-779
نویسندگان
Thomas Andreev, Nguyen Quang Liem, Yuji Hori, Mitsuhiro Tanaka, Osamu Oda, Bruno Daudin, Daniel Le Si Dang,