کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1497651 | 1510801 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Visible lasing from GaN:Eu optical cavities on sapphire substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report visible (red) lasing emission from Eu-doped GaN thin films grown on sapphire substrates. The edge emission fulfills the requirements of stimulated emission properties: super-linear characteristic, spectrum line narrowing, polarization effect, lifetime reduction, and longitudinal modes in a Fabry–Perot cavity. The GaN:Eu active layer has low threshold (∼10 kW/cm2) for the onset of lasing. The optical gain and loss are of the order of 50 and 20 cm−1, respectively. Growth conditions are investigated for gain enhancement and loss reduction. To obtain the high gain and low loss active layer, N-rich growth conditions are required. Channel waveguide cavities result in 5× increase in gain value compared to planar waveguides.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6–7, May 2006, Pages 859–863
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6–7, May 2006, Pages 859–863
نویسندگان
J.H. Park, A.J. Steckl,