کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498039 | 1510878 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantification of irradiation defects in beta-silicon carbide using Raman spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Raman spectra from polycrystalline beta-silicon carbide (SiC) were collected following neutron irradiation at 380–1180 °C to 0.011–1.87 displacement per atom. The longitudinal optical (LO) peak shifted to a lower frequency and broadened as a result of the irradiation. The changes observed in the LO phonon line shape and position in neutron-irradiated SiC are explained by a combination of changes in the lattice constant and Young's modulus, and the phonon confinement effect. The phonon confinement model reasonably estimates the defect-defect distance in the irradiated SiC, which is consistent with results from previous experimental studies and simulations.
Figure optionsDownload high-quality image (337 K)Download as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 125, December 2016, Pages 58–62
Journal: Scripta Materialia - Volume 125, December 2016, Pages 58–62
نویسندگان
T. Koyanagi, M.J. Lance, Y. Katoh,