کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1498093 1510889 2016 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation and interaction of dislocation-induced and vicinal monatomic steps on a GaAs(001) surface under stress relaxation
ترجمه فارسی عنوان
شکل گیری و تعامل مراحل تک اتمی vicinal و ناشی از جابجایی بر روی یک سطح GaAs (001) تحت آرام سازی تنش
کلمات کلیدی
انلینگ؛ ساختارهای ناهمگن؛ آرام سازی تنش؛ هسته دررفتگی؛ مراحل تک اتمی ناشی از جابجایی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی

Formation and interaction of curved vicinal and straight dislocation-induced steps of monatomic height on smooth GaAs(001) surface is studied under thermo-mechanical stress relaxation in GaAs/AlGaAs heterostructures bonded to glass. Typical dislocation phenomena, like transverse glide, are revealed in the slip steps patterns. At elevated temperatures, slip steps keep their straight shape, while curved vicinal steps acquire distinct small-scale (~ 10 nm) undulations caused, presumably, by kink bunching. Annihilation of steps with opposite signs and anticrossing of slip steps with each other and with vicinal steps are studied.

Figure optionsDownload high-quality image (474 K)Download as PowerPoint slide

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 114, 15 March 2016, Pages 125–128
نویسندگان
, , , , , ,