کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498236 | 1510916 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural basis of temperature-dependent electrical resistance of evaporation-deposited amorphous GeSe film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We employ EXAFS spectroscopy to refine the local atomic arrangements of evaporation-deposited equiatomic GeSe film. Amorphous structure of the as-deposited GeSe film turns out to satisfy mainly the 4:2 structural model. The crystallized GeSe film, however, consists of the orthorhombic GeSe crystals with the 3:3 atomic arrangements and quasi-crystalline Ge clusters. Its temperature-dependent electrical resistance is explained in connection with this structural difference, which exemplifies significance of the chemical environments on the electrical switching phenomena observed from amorphous chalcogenide solids.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 86, 1 September 2014, Pages 56–59
Journal: Scripta Materialia - Volume 86, 1 September 2014, Pages 56–59
نویسندگان
Sang Yeol Shin, Roman Golovchak, Suyoun Lee, Byung-ki Cheong, Himanshu Jain, Yong Gyu Choi,