کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498331 | 1510899 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Na distribution in Cu(In,Ga)Se2 thin films: Investigation by atom probe tomography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Atom probe tomography (APT) has been used to study the distribution of Na atoms in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) thin films. APT, which allows separate investigations of grain boundaries and grain interiors chemistry, shows the presence of inter- and intra-granular Na segregations. It is highlighted that these segregations are found associated to Cu-depletion and In-enrichment. The segregation of Na to crystalline point defects and extended ones is finally discussed regarding its impact on the electrical properties of CIGSe layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 104, 15 July 2015, Pages 83–86
Journal: Scripta Materialia - Volume 104, 15 July 2015, Pages 83–86
نویسندگان
F. Couzinie-Devy, E. Cadel, N. Barreau, L. Arzel, P. Pareige,