کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498412 | 1510910 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of AlN/Pt heterostructures on amorphous substrates at low temperatures via atomic layer epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Recent results on atomic layer epitaxy (ALE) growth and characterization of (0 0 0 1)AlN on highly oriented (1 1 1)Pt layers on amorphous HfO2/Si(1 0 0) are reported. HfO2 was deposited by atomic layer deposition on Si(1 0 0) followed by ALE growth of Pt(15 nm) and, subsequently, AlN(60 nm) at 500 °C. Based on the X-ray diffraction and transmission electron microscopy measurements, the Pt and AlN layers are highly oriented along the (1 1 1) and (0 0 0 2) directions, respectively. Demonstrations of AlN/Pt heterostructures open up the possibility of new state-of-the-art microelectromechanical systems devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 93, 15 December 2014, Pages 44–47
Journal: Scripta Materialia - Volume 93, 15 December 2014, Pages 44–47
نویسندگان
N. Nepal, R. Goswami, S.B. Qadri, N.A. Mahadik, F.J. Kub, C.R. Eddy Jr.,