کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498502 | 1510928 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of single-crystalline silicon–germanium on silicon by aluminium-assisted crystallization
ترجمه فارسی عنوان
رشد اپیتاشیال سیلیکون ژرمانیوم تک کریستالی بر روی سیلیکون با بلورسازی با کمک آلومینیوم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
بلورسازی با کمک آلومینیوم، پرتقال، رشد اپیتاشیا، آلیاژها، فیلم های نازک
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
Aluminium-assisted crystallization is used to grow single-crystalline SixGe1−x film epitaxially on Si substrate at a relatively low temperature (350–450 °C). Investigation of the mechanism by which Al film causes epitaxial growth of SixGe1−x suggests a four-step growth process is involved. The composition of the SixGe1−x film can be controlled by the annealing conditions. This SixGe1−x film can be used as a buffer layer for the epitaxial growth of Ge on Si or as a virtual substrate for the fabrication of III–V devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 71, 15 January 2014, Pages 25–28
Journal: Scripta Materialia - Volume 71, 15 January 2014, Pages 25–28
نویسندگان
Ziheng Liu, Xiaojing Hao, Fang Qi, Anita Ho-Baillie, Martin A. Green,