کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498780 | 993279 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nature of the ZnSe/GaAs interface investigated by atom probe tomography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A ZnSe layer grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy has been analysed by atom probe tomography. The one-dimensional concentration profile shows separation between Zn and Se and between Ga and As at the interface. A comparison of the concentration profile with different interface models suggests that the formation of a Ga2 + xSe3 compound at the ZnSe/GaAs interface with fewer vacancies than Ga2Se3 (x = 0.7). These results show the ability of atom probe tomography to characterize the interface at the atomic scale.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 69, Issue 7, October 2013, Pages 505–508
Journal: Scripta Materialia - Volume 69, Issue 7, October 2013, Pages 505–508
نویسندگان
H. Benallali, K. Hoummada, M. Descoins, P. Rueda-Fonseca, L. Gerard, E. Bellet-Amalric, S. Tatarenko, K. Kheng, D. Mangelinck,