کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1499336 | 993302 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface-mediated suppression of radiation damage in GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Interface-mediated suppression of radiation damage in GaN Interface-mediated suppression of radiation damage in GaN](/preview/png/1499336.png)
چکیده انگلیسی
Interfaces are often sinks for radiation-generated defects and could either promote defect recombination or cause detrimental disorder accumulation. Here, we study (0 0 0 1) GaN irradiated with 500 keV Xe ions at room temperature. Results show that, when point defects are generated within ∼50 nm from the surface, they experience efficient recombination without any measurable increase in the rate of surface amorphization. Our findings provide clear experimental evidence of efficient suppression of radiation damage by an interface in a non-metallic material.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 67, Issue 2, July 2012, Pages 205–208
Journal: Scripta Materialia - Volume 67, Issue 2, July 2012, Pages 205–208
نویسندگان
S. Charnvanichborikarn, M.T. Myers, L. Shao, S.O. Kucheyev,