کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1499359 | 1510933 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Importance of twin defect formation created by solid-phase epitaxial growth: An atomistic study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A lattice kinetic Monte Carlo model is used to show the importance of twin defect formation created during solid-phase epitaxial growth (SPEG) to properly account for SPEG rates at different silicon substrate orientations. In particular, SPEG defect creation is fundamental to understanding the growth velocities in substrate angles close to Si(3 1 1) and Si(1 1 1). The model is compared with experimental observations and shows the feedback of twin defects on SPEG rates, shape evolution and interface roughness for different Si substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 66, Issues 3–4, February 2012, Pages 186–189
Journal: Scripta Materialia - Volume 66, Issues 3–4, February 2012, Pages 186–189
نویسندگان
Ignacio Martin-Bragado,