کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500050 | 993332 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Initial stage of oxidation process and microstructure analysis of HfB2–20 vol.% SiC composite at 1500 °C
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The initial stage of oxidation process of HfB2–20 vol.% SiC composite at 1500 °C in air was investigated. With no holding, the oxide scale is composed of a discontinuous SiO2-rich glass layer and an imperfect SiC-depleted layer. Detailed analysis showed that the imperfect SiC-depleted layer contained an HfB2 matrix with partially oxidized HfB2 and SiC particles enclosed in graphite, which revealed that the formation of the SiC-depleted layer during oxidation resulted from the active oxidation of SiC with C as an initial product.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 7, April 2011, Pages 617–620
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 7, April 2011, Pages 617–620
نویسندگان
De-Wei Ni, Guo-Jun Zhang, Fang-Fang Xu, Wei-Ming Guo,