کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500066 | 993332 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The preferred facet orientation of GaAs pyramids for high-quality InAs and InxGa1−xAs quantum dot growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The energetically favorable facet orientation of GaAs pyramids for InAs quantum dot (QD) growth was studied in terms of a crystallographic matching perspective. The predicted apparent interface is (5.6 1 1)GaAs, which agrees well with the best substrate (5 1 1)GaAs in previous experimental observations. This allows close-packed planes, (1 1 1)InAs and (1¯11)GaAs, with their edges meeting at the interface. The dependence of preferred facet orientation on the indium ratio of InxGa1−xAs QDs is also studied, which provides a new way to fabricate high-quality InxGa1−xAs QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 7, April 2011, Pages 681–684
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 7, April 2011, Pages 681–684
نویسندگان
D. Qiu, M.-X. Zhang,