کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500323 | 993342 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crack-free interface in wafer-bonded Ge/Si by patterned grooves
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Crack-free interface in wafer-bonded Ge/Si by patterned grooves Crack-free interface in wafer-bonded Ge/Si by patterned grooves](/preview/png/1500323.png)
چکیده انگلیسی
Crack-free interfaces can be achieved in wafer-bonded Ge/Si by using patterned grooves. Using synchrotron radiation phase-contrast imaging and scanning electron microscopy, we observe cracking that is induced by thermal stresses in thin (hGe ⩽ 0.5hSi) Ge wafers on smooth Si substrates. Theoretical calculation shows a remarkable reduction in thermal stresses in Ge wafer bonded to grooved Si substrate. We demonstrate the fabrication of crack-free Ge/Si (hGe = 0.5hSi) structure by patterned grooves, as confirmed by an ohmic I–V characteristic across the heterojunction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 6, March 2010, Pages 407–410
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 6, March 2010, Pages 407–410
نویسندگان
T.S. Argunova, M.Yu. Gutkin, L.S. Kostina, I.V. Grekhov, E.I. Belyakova, J.H. Je,