کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500450 | 993347 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Computing transition rates of thermally activated events in dislocation dynamics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Computing transition rates of thermally activated events in dislocation dynamics Computing transition rates of thermally activated events in dislocation dynamics](/preview/png/1500450.png)
چکیده انگلیسی
We present a numerical method to compute the transition rates of thermally activated events in dislocation dynamics on the atomistic scale, based on the formula from the transition state theory. The method is applied to the migration of kinks in 30° partial dislocations in silicon. To our knowledge, this is the first time that the contribution of entropy to the transition rate of such events has been calculated using reliable atomistic models.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 4, February 2010, Pages 206–209
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 4, February 2010, Pages 206–209
نویسندگان
Congming Jin, Weiqing Ren, Yang Xiang,