کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500488 | 993349 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The use of Ga16Sb84 alloy for electronic phase-change memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The use of simpler compositions for phase-change memory has been a popular goal. This study explores phase-change, electrical conduction and thermal stability of Ga16Sb84 film to meet this purpose. Amorphous Ga16Sb84 film shows a crystallization temperature of 227 °C and a temperature for 10 year data retention of 148 °C. The density of the film increases 5% upon crystallization. A steep resistance drop during crystallization arises mainly from the sharp increase in carrier concentration with p-type conduction. Ga16Sb84 memory cells demonstrate set–reset switching at a pulse width of 10 ns and have a durability of >105 cycles.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 9, May 2011, Pages 801–804
Journal: Scripta Materialia - Volume 64, Issue 9, May 2011, Pages 801–804
نویسندگان
Chih-Chung Chang, Chien-Tu Chao, Jong-Ching Wu, Tri-Rung Yew, Ming-Jinn Tsai, Tsung-Shune Chin,