کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500716 | 993356 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of radio frequency sputtering power towards the properties of indium zinc oxide semiconducting films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We studied the influence of radio frequency (r.f.) power of a sputtering system towards the physical, electrical and optical properties of IZO semiconducting film with an Ar/O2 gas mixture. Nodules are present when sputtered at 1.8 W cm−2. Resistivity is lowest and mobility highest at low r.f. power. The Zn2In2O5 crystallite influences the film’s resistivity and mobility. The optical transparency is >80%, while the optical band gap ranges from 3.0 to 3.15 eV and is dependent to the r.f. power.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 60, Issue 1, January 2009, Pages 48–51
Journal: Scripta Materialia - Volume 60, Issue 1, January 2009, Pages 48–51
نویسندگان
K.C. Aw, Z. Tsakadze, A. Lohani, S. Mhaisalkar,