کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500815 | 993360 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Damage-free polishing of monocrystalline silicon wafers without chemical additives
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Damage-free polishing of monocrystalline silicon wafers without chemical additives Damage-free polishing of monocrystalline silicon wafers without chemical additives](/preview/png/1500815.png)
چکیده انگلیسی
This investigation explores the possibility and identifies the mechanism of damage-free polishing of monocrystalline silicon without chemical additives. Using high resolution electron microscopy and contact mechanics, the study concludes that a damage-free polishing process without chemicals is feasible. All forms of damages, such as amorphous Si, dislocations and plane shifting, can be eliminated by avoiding the initiation of the β-tin phase of silicon during polishing. When using 50 nm abrasives, the nominal pressure to achieve damage-free polishing is 20 kPa.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 59, Issue 11, December 2008, Pages 1178–1181
Journal: Scripta Materialia - Volume 59, Issue 11, December 2008, Pages 1178–1181
نویسندگان
A.Q. Biddut, L.C. Zhang, Y.M. Ali, Z. Liu,