کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1500926 | 993364 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser-assisted three-dimensional atom probe analysis of dopant distribution in Gd-doped CeO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Laser-assisted three-dimensional atom probe analysis of dopant distribution in Gd-doped CeO2 Laser-assisted three-dimensional atom probe analysis of dopant distribution in Gd-doped CeO2](/preview/png/1500926.png)
چکیده انگلیسی
The grain boundary segregation and the concentration fluctuation of Gd in 25 at.% Gd-doped CeO2 (Gd0.25Ce0.75O1.875) have been directly characterized by a laser-assisted three-dimensional atom probe using an ultraviolent femtosecond pulse laser. Gd was found to be enriched not only at grain boundaries but also in nanosized domains within the grains. Both of these can explain the degradation of the ionic conductivity by the substitution of Gd for Ce in CeO2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 63, Issue 3, August 2010, Pages 332–335
Journal: Scripta Materialia - Volume 63, Issue 3, August 2010, Pages 332–335
نویسندگان
F. Li, T. Ohkubo, Y.M. Chen, M. Kodzuka, F. Ye, D.R. Ou, T. Mori, K. Hono,