کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1501037 | 993368 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic resolution improvement by a new method using the second derivative of the intensity function of the reconstructed exit wave of electrons for a thin β-Si3N4 crystal
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This report is an extension of a high-resolution transmission electron microscopy study of β-Si3N4 [0 0 0 1] by Ziegler et al. (2002) [1]. The aim of this work was to obtain a better structural image showing complete resolution of the 95 pm spacing for Si-N dumb-bells. This goal has been achieved with a new method using the second derivative of the intensity function of the reconstructed exit wave. The structure of this thin specimen showed an asymmetric aspect, deviating slightly from a hexagonal lattice.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 63, Issue 5, September 2010, Pages 524-527
Journal: Scripta Materialia - Volume 63, Issue 5, September 2010, Pages 524-527
نویسندگان
Hwang Su Kim,