کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1501385 | 993380 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Texture and stress analysis of 120 nm copper interconnects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A scanning transmission electron microscope diffraction technique was used to determine the local orientation of copper grains in 120 nm copper interconnect (CI) lines. These grains exhibit a <1 1 0> normal orientation while the <1¯12> and the <11¯1> type orientations are present along the length and width of the CI line, respectively. Stresses, as high as 625 MPa, are present at the copper/diffusion barrier triple junctions that in conjunction with large stress gradients may induce stress-induced void formation upon thermal cycling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 11, June 2010, Pages 843–846
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 11, June 2010, Pages 843–846
نویسندگان
K.J. Ganesh, S. Rajasekhara, J.P. Zhou, P.J. Ferreira,