کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1501667 | 993391 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coexistence of anion and cation vacancy defects in vacuum-annealed In2O3 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Coexistence of anion and cation vacancy defects in vacuum-annealed In2O3 thin films Coexistence of anion and cation vacancy defects in vacuum-annealed In2O3 thin films](/preview/png/1501667.png)
چکیده انگلیسی
We report on the defect structure and composition of vacuum-annealed In2O3 (VA-In2O3) ferromagnetic thin films. VA-In2O3 is highly (∼7 at.%) oxygen deficient. High-resolution microscopy reveals disordered glassy surface layers and crystalline defect states, O and In vacancies, and In–In clustering, predominantly in the vicinity of the surface. These defects are not observed in as-deposited In2O3 films. These structural defects are important for understanding many of the novel properties found in non-stoichiometric In2O3, including high conductivity and room-temperature ferromagnetism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 2, January 2010, Pages 63–66
Journal: Scripta Materialia - Volume 62, Issue 2, January 2010, Pages 63–66
نویسندگان
C. Sudakar, A. Dixit, Sanjiv Kumar, M.B. Sahana, G. Lawes, R. Naik, V.M. Naik,