کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1502328 | 1510934 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multiscale mechanics modeling of direct silicon wafer bonding
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The direct bonding of macroscopically patterned silicon wafers is studied with a cohesive zone model (CZM), the form and key parameters of which are obtained from molecular dynamics simulations. The CZM is implemented in a spectral scheme. For the case of ideally flat wafer surfaces investigated here, the results are consistent with previous work in which the CZM was derived from an assumption of a continuum water film. This multiscale approach has the potential to model directly the effects of surface roughness, nanotopography and small-scale patterning on the efficacy of direct wafer bonding.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 60, Issue 12, June 2009, Pages 1125–1128
Journal: Scripta Materialia - Volume 60, Issue 12, June 2009, Pages 1125–1128
نویسندگان
Dhirendra V. Kubair, Daniel J. Cole, Lucio Colombi Ciacchi, S Mark Spearing,