کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1502339 | 993416 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface oxide effects on failure of polysilicon MEMS after cyclic and monotonic loading
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Surface oxide effects on failure of polysilicon MEMS after cyclic and monotonic loading Surface oxide effects on failure of polysilicon MEMS after cyclic and monotonic loading](/preview/png/1502339.png)
چکیده انگلیسی
—Polycrystalline silicon (polysilicon) microelectromechanical systems (MEMS) devices subjected to constant tensile stresses do not display delayed fracture in humid ambients unless they also contain thick (>45 nm) surface oxide layers, which are then susceptible to moisture-assisted stress corrosion. Polysilicon MEMS devices with typical (∼3 nm thick) native oxides do not show any thickening of the surface oxide layer after 3 × 107 fatigue cycles, excluding stress corrosion of the surface oxide as a cause of fatigue failure. Possible origins of polysilicon fatigue are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 59, Issue 9, November 2008, Pages 912–915
Journal: Scripta Materialia - Volume 59, Issue 9, November 2008, Pages 912–915
نویسندگان
H. Kahn, A. Avishai, R. Ballarini, A.H. Heuer,