کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1502343 | 993416 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Further considerations on the high-cycle fatigue of micron-scale polycrystalline silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Bulk silicon is not susceptible to high-cycle fatigue but micron-scale silicon films are. Using polysilicon resonators to determine stress-lifetime fatigue behavior in several environments, oxide layers are found to show up to four-fold thickening after cycling, which is not seen after monotonic loading or after cycling in vacuo. We believe that the mechanism of thin-film silicon fatigue is “reaction-layer fatigue”, involving cyclic stress-induced thickening of the oxide and moisture-assisted cracking within this layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 59, Issue 9, November 2008, Pages 931–935
Journal: Scripta Materialia - Volume 59, Issue 9, November 2008, Pages 931–935
نویسندگان
D.H. Alsem, C.L. Muhlstein, E.A. Stach, R.O. Ritchie,