کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1502386 | 993417 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of the first-order Raman scattering in silicon nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Temperature dependence of the first-order Raman scattering in silicon nanowires was studied using an amended phonon confinement model. The experimental band position and linewidth both showed a better agreement with the calculated data if the temperature effect was considered. Furthermore, a slight improvement in crystal quality was observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 55, Issue 2, July 2006, Pages 183–186
Journal: Scripta Materialia - Volume 55, Issue 2, July 2006, Pages 183–186
نویسندگان
Junjie Niu, Jian Sha, Deren Yang,