کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1502684 | 993430 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Three-dimensional atomic-scale imaging of boron clusters in implanted silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The implantation profile of boron in silicon annealed at 600 °C for 1 h as given by laser-assisted wide-angle atom probe was found to be in good agreement with secondary ion mass spectrometry data. Numerous boron clusters in the form of tiny platelets (3–6 nm diameter, 2 nm thick) were identified and interpreted as boron interstitial clusters (BICs). These BICs contained on average 7 at.% B with a core level that reaches 10 at.%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 60, Issue 5, March 2009, Pages 285–288
Journal: Scripta Materialia - Volume 60, Issue 5, March 2009, Pages 285–288
نویسندگان
O. Cojocaru-Mirédin, E. Cadel, F. Vurpillot, D. Mangelinck, D. Blavette,