کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1503306 | 993462 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystallization of silicon nitride thin films synthesized by plasma-enhanced chemical vapour deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Crystallization of silicon nitride thin films synthesized by plasma-enhanced chemical vapour deposition Crystallization of silicon nitride thin films synthesized by plasma-enhanced chemical vapour deposition](/preview/png/1503306.png)
چکیده انگلیسی
This paper reports on a unique crystallization phenomenon of amorphous plasma-enhanced chemical vapour deposited SiNx thin films induced by heating to temperatures ⩾1148 K in air. The crystallization occurs as randomly scattered pits, within which clusters of smaller crystals form. The crystals formed are free of oxygen and are identified to be α-Si3N4. The crystallization is associated with a large volume contraction, which results in internal cracking.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 57, Issue 8, October 2007, Pages 739–742
Journal: Scripta Materialia - Volume 57, Issue 8, October 2007, Pages 739–742
نویسندگان
Neerushana Jehanathan, Martin Saunders, Yinong Liu, John Dell,