| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1504795 | 993743 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase transition sensitive to interlayer defects in layered semiconductor TlGaSe2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The structural unit of TlGaSe2 crystal showing the way of formation of interlayer bonding.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Sciences - Volume 14, Issue 3, March 2012, Pages 311-316
Journal: Solid State Sciences - Volume 14, Issue 3, March 2012, Pages 311-316
نویسندگان
MirHasan Yu. Seyidov, Rauf A. Suleymanov, Emin Yakar, Muhammed Açikgöz,