کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1505650 | 993768 | 2010 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Repulsive impurity doped quantum dot subjected to oscillatory confinement potential: Role of dopant strength and dopant location on time-evolution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Sciences - Volume 12, Issue 9, September 2010, Pages 1620-1628
Journal: Solid State Sciences - Volume 12, Issue 9, September 2010, Pages 1620-1628
نویسندگان
Nirmal Kumar Datta, Manas Ghosh,