کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1510829 | 1511175 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical and Chemical Studies on Al2O3 Passivation Activation Process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Al2O3 deposited using Atomic layer Deposition (ALD) technique is known as an excellent material for p-type silicon surface passivation. However a post-deposition annealing step is needed to make the passivation effective. Thanks to coupled electrical measurements (capacitance and photoconductance) and chemical analyses (X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)) carried out on the same p-type Cz silicon sample, a closer explanation of this activation process is given. The presence of hydrogen and oxygen is correlated to the evolution of the electrical parameters and the minority carrier lifetime for 0 to 60 min 450 °C annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 60, 2014, Pages 85-89
Journal: Energy Procedia - Volume 60, 2014, Pages 85-89
نویسندگان
M. Pawlik, J.P. Vilcot, M. Halbwax, D. Aureau, A. Etcheberry, A. Slaoui, T. Schutz-Kuchly, R. Cabal,