کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1516347 | 1511566 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the active layer thickness on the electrical properties of ZnO thin film transistors fabricated by radio frequency magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠ZnO-TFT with the active layer thickness of 20-100 nm annealed at 950 °C.⺠20 nm ZnO film did not effectively form the channel layer.⺠40 nm ZnO film exhibited the best performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 72, Issue 12, December 2011, Pages 1393-1396
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 72, Issue 12, December 2011, Pages 1393-1396
نویسندگان
Hai-Qin Huang, Feng-Juan Liu, Jian Sun, Jian-Wei Zhao, Zuo-Fu Hu, Zhen-Jun Li, Xi-Qing Zhang,