کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1516499 | 1511555 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Deposition of device quality amorphous silicon and solar cell from argon dilution of silane
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Amorphous silicon solar cells have been deposited by RF-PECVD method. ⺠Device quality materials have been deposited by argon dilution of silane. ⺠All the layers of the solar cell have been fabricated by argon dilution method. ⺠Solar cells show reasonable conversion efficiency and an improved stability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 73, Issue 11, November 2012, Pages 1358-1361
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 73, Issue 11, November 2012, Pages 1358-1361
نویسندگان
Animesh Layek, Somnath Middya, Partha Pratim Ray,