کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1517208 | 1511603 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of illumination on negative linear expansion of TlGaSe2 layered crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Effect of illumination on negative thermal expansion of TlGaSe2 crystals has been investigated. Strong trasformation of negative linear expansion coefficient has been observed after the illuminations. It is supposed that two main mechanisms are responsible for observed effect: formation of photoelectret states and reverse piezoelectric effect. The electronic nature of negative linear expansion of TlGaSe2 crystals has been proved for the first time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issue 10, October 2008, Pages 2544–2547
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issue 10, October 2008, Pages 2544–2547
نویسندگان
MirHasan Yu. Seyidov, Rauf A. Suleymanov, Emin Yakar, N.A. Abdullayev, T.G. Mammadov,