کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1517407 | 1511604 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron–phonon and electron–electron interactions in organic field effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Recent experiments have demonstrated that the performances of organic FETs strongly depend on the dielectric properties of the gate insulator. In particular, it has been shown that the temperature dependence of the mobility evolves from a metallic-like to an insulating behavior upon increasing the dielectric constant of the gate material. This phenomenon can be explained in terms of the formation of small polarons, due to the polar interaction of the charge carriers with the phonons at the organic/dielectric interface. Building on this model, the possible consequences of the Coulomb repulsion between the carriers at high concentrations are analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issue 9, September 2008, Pages 2195–2198
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issue 9, September 2008, Pages 2195–2198
نویسندگان
S. Fratini, A.F. Morpurgo, S. Ciuchi,