کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1517450 | 1511587 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic properties and Compton profiles of molybdenum dichalcogenides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present the first ever experimental Compton profiles of molybdenum dichalcogenides (MoX2; X=S and Te) using 20 Ci 137Cs Compton spectrometer. To interpret our experimental data, we have computed the theoretical profiles, energy bands and density of states using linear combination of atomic orbitals method in the framework of density functional theory and its hybridisation with Hartree Fock. The energy bands and density of states using full potential linearised augmented plane wave method have also been computed. Both theories show the existence of the indirect band gap. In addition, the relative nature of bonding is explained in terms of equal-valence-electron-density profiles and valence band charge densities.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 71, Issue 3, March 2010, Pages 187–193
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 71, Issue 3, March 2010, Pages 187–193
نویسندگان
N.L. Heda, Alpa Dashora, Ambica Marwal, Yamini Sharma, S.K. Srivastava, Gulzar Ahmed, Rajesh Jain, B.L. Ahuja,