کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1518133 | 1511601 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-temperature STM/STS studies on boron-doped (1 1 1) diamond films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have performed scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS) experiments on (1 1 1)-oriented epitaxial films of heavily boron-doped diamond (Tc∼5.4 K). We present that tunneling conductance spectra show temperature-dependent spatial variations. In the low-temperature region (T=0.47 K), the tunneling spectra do not show strong spatial dependence and a superconducting energy gap is observed independent of the surface morphology. In the high-temperature region (T=4.2 K), on the other hand, the tunneling conductance spectra show significant spatial dependence, indicating the inhomogeneous distribution of the superconducting property due to the distribution of boron atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issue 12, December 2008, Pages 3027–3030
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issue 12, December 2008, Pages 3027–3030
نویسندگان
Terukazu Nishizaki, Yoshihiko Takano, Masanori Nagao, Tomohiro Takenouchi, Hiroshi Kawarada, Norio Kobayashi,