کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1518305 | 1511609 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bismuth telluride-based materials obtained by rapid quenching process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Bi2Te3−xSex and Bi2−ySbyTe3 thick films were obtained by a rapid quenching process. A cooling rate of the melt on Ni–Cu substrate was of the order of 104–106 K/s. The thickness of the films varied in the range of 20–200 μm. The thick films obtained were annealed at 573 K for 1 h.Scanning electron microscopy and X-ray diffraction demonstrated a monocrystalline structure of the materials obtained at lower cooling rates. Thermoelectric figure of merit ZT of these materials was in the range 1.1–1.3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issues 2–3, February–March 2008, Pages 680–684
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issues 2–3, February–March 2008, Pages 680–684
نویسندگان
M.F. Reznichenko, B.M. Kuchumov, T.P. Koretskaya, A.V. Alexeyev, S.A. Gromilov,