کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1518411 | 1511617 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic and structural changes induced by irradiation or annealing in pulsed laser deposited As50Se50 films. An XPS and UPS study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The response of amorphous As50Se50 pulsed laser deposited (PLD) films to annealing and irradiation, was investigated by X-ray and UV-photoelectron spectroscopies. It is shown that annealing smoothes out structural as well as electronic defects, while irradiation with near band-gap light enhances the film's “chemical disorder” and causes the creation of electronic defects. The observed behavior of the films is compared to that of thermally evaporated films and the corresponding bulk glasses.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 68, Issues 5–6, May–June 2007, Pages 906–910
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 68, Issues 5–6, May–June 2007, Pages 906–910
نویسندگان
M. Kalyva, A. Siokou, S.N. Yannopoulos, P. Ne˘mec, M. Frumar,