کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1518748 | 1511618 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of electrical and solar cell parameters of FTO/CuPc/Al Schottky devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A Schottky structure is fabricated using CuPc sandwiched between fluorinated tin oxide (FTO) and aluminium electrodes. The electrical properties of the device are measured at room temperature. Permittivity of the device is calculated from capacitance measurements. The saturation current density, J0=5.1×10-4(Amp/m2), diode ideality factor, n=3.02n=3.02 and barrier height, ϕ=0.84eV are determined for the Schottky juction. Reverse bias lnJ versus lnV1/2 is interpreted in terms of Schottky emission. Solar cell parameters are determined from the JJ–VV characteristics. Power conversion efficiency, ηη of 0.0024% is obtained for the cell. Band gap energy of the material is determined from UV-visible absorption spectrum.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 68, Issue 4, April 2007, Pages 556–560
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 68, Issue 4, April 2007, Pages 556–560
نویسندگان
K.R. Rajesh, Shaji Varghese, C.S. Menon,