کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1518960 1511629 2006 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
STM studies of near-optimal doped Bi2Sr2CaCu2O8+δ
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
STM studies of near-optimal doped Bi2Sr2CaCu2O8+δ
چکیده انگلیسی
In this paper, we summarize our Scanning Tunnelling Microscope (STM) studies of the density of electronic states in nearly optimally doped Bi2Sr2CaCu2O8+δ in zero field. We report on the inhomogeneity of the gap structure, density of states modulations with four-lattice constant period, and coherence peak modulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 67, Issues 1–3, January–March 2006, Pages 344-349
نویسندگان
, , , ,