کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1519029 | 1511627 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structures of HOPG and stage-2 IBr-GIC studied by angle resolved photoemission
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Angle resolved photoemission spectra (ARPES) of host HOPG and IBr-GIC have been measured at 16 K using hν=122 eV. Both HOPG and IBr-GIC show clear dispersions of upper π band and σ bands derived from C 2s and 2p electrons. The intensity plot of ARPES spectra shows the overlap of the dispersion curves along the ΓM and ΓK directions due to the in-plane mosaic structure of HOPG. Based on the Johnson–Dresselhaus band model, the dispersion curves of the π bands of HOPG and IBr-GIC are reproduced over the full Brillouin zone. We discuss the important role of the interactions between C–C atoms in the neighboring layers in the stage-2 structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 67, Issues 5–6, May–June 2006, Pages 1145–1148
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 67, Issues 5–6, May–June 2006, Pages 1145–1148
نویسندگان
H. Negishi, S. Negishi, K. Shimada, T. Narimura, M. Higashiguchi, H. Namatame, M. Taniguchi, K. Kobayashi, K. Sugihara, H. Oshima,