کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1522153 | 995306 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electronic properties of CdTe:Cl from first-principles
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and electronic properties of CdTe:Cl from first-principles Structural and electronic properties of CdTe:Cl from first-principles](/preview/png/1522153.png)
چکیده انگلیسی
The structural and electronic properties of the dominant intrinsic defect of the Cd vacancy (VCd) and the Cl impurity in CdTe are studied using density functional theory. VCd is calculated to be a shallow double acceptor. Cl will substitute Te site (ClTe) and then act as a shallow donor in CdTe. Moreover, ClTe can bond with VCd, forming the defect complexes of ClTe-VCd. ClTeâVCd is a shallower acceptor than that of VCd. The defect complexes of (ClTeâVCd)â1 can improve the p-doping behavior of CdTe.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 143, Issue 2, 15 January 2014, Pages 637-641
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 143, Issue 2, 15 January 2014, Pages 637-641
نویسندگان
Huiping Zhu, Mingqiang Gu, Lei Huang, Jianli Wang, Xiaoshan Wu,