کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1522757 | 1511822 | 2013 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of LPCVD amorphous silicon carbide (a-SiC) as material for electron transparent windows
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Very thin non-stoichiometric amorphous SiC (a-SiCx) layers are deposited by LPCVD. ⺠Layers of 20 nm are continuous, show tensile stress and high chemical inertness. ⺠Electron transparent windows made of a-SiCx are fabricated. ⺠a-SiCx windows are highly transparent allowing TEM images with 0.12 nm resolution. ⺠a-SiCx windows show high resistance to TEM electron beam.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 139, Issues 2â3, 15 May 2013, Pages 654-662
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 139, Issues 2â3, 15 May 2013, Pages 654-662
نویسندگان
B. Morana, G. Pandraud, J.F. Creemer, P.M. Sarro,