کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1523114 1511825 2012 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on the role of filament temperature on growth of indium-catalyzed silicon nanowires by the hot-wire chemical vapor deposition technique
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Study on the role of filament temperature on growth of indium-catalyzed silicon nanowires by the hot-wire chemical vapor deposition technique
چکیده انگلیسی
► Threshold filament temperature for successive growth of SiNWs is between 1400−1500 °C. ► Catalytic effect of indium particles is enhanced by removes their native oxide layer. ► Growth rate of SiNWs is related to the desorption rate of Si radicals. ► Increase in filament temperature can improve the crystallinity of the SiNWs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issues 2–3, 15 August 2012, Pages 635-643
نویسندگان
, , , ,