کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523114 | 1511825 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on the role of filament temperature on growth of indium-catalyzed silicon nanowires by the hot-wire chemical vapor deposition technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Threshold filament temperature for successive growth of SiNWs is between 1400â1500 °C. ⺠Catalytic effect of indium particles is enhanced by removes their native oxide layer. ⺠Growth rate of SiNWs is related to the desorption rate of Si radicals. ⺠Increase in filament temperature can improve the crystallinity of the SiNWs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issues 2â3, 15 August 2012, Pages 635-643
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issues 2â3, 15 August 2012, Pages 635-643
نویسندگان
Su Kong Chong, Boon Tong Goh, Chang Fu Dee, Saadah Abdul Rahman,