کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523128 | 1511825 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of carbon nitride films deposited by ion beam-assisted deposition with low bombarding energy of N ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of carbon nitride films deposited by ion beam-assisted deposition with low bombarding energy of N ions Investigation of carbon nitride films deposited by ion beam-assisted deposition with low bombarding energy of N ions](/preview/png/1523128.png)
چکیده انگلیسی
⺠CNx films were prepared by IBAD with low bombarding energy of assisted N ions. ⺠Growth rate of the CNx film decreased with increasing bombarding energy. ⺠Low bombarding energy could improve the [N]/[C] ratio and sp3/sp2 ratio. ⺠Low bombarding energy evidently influenced film's mechanical properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issues 2â3, 15 August 2012, Pages 733-737
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issues 2â3, 15 August 2012, Pages 733-737
نویسندگان
Songbo Wei, Tianmin Shao,