کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523304 | 1511827 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CaCu3Ti4O12 thin films on conductive oxide electrode: A comparative study between chemical and physical vapor deposition routes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Dielectrics growth and characterization is one of the most hot topics of materials science and microelectronics. ⺠CaCu3Ti4O12 perovskite, recently, demonstrated to possess peculiar dielectric properties (Science, 2001, 293, 673-676). ⺠To date no deep discussion on the growth processes, properties and perspective of CCTO thin films has been proposed. ⺠Our paper is an effective example of interdisciplinarity, since the comparison between PLD and MOCVD has been addressed. ⺠Great attention has been paid to CaCu3Ti4O12 film/substrate interfaces since dielectric properties are strongly affected.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 133, Issues 2â3, 16 April 2012, Pages 1108-1115
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 133, Issues 2â3, 16 April 2012, Pages 1108-1115
نویسندگان
Maria R. Catalano, Graziella Malandrino, Corrado Bongiorno, Roberta G. Toro, Patrick Fiorenza, Romain Bodeux, Jerome Wolfman, Monique Gervais, Cécile Autret Lambert, François Gervais, Raffaella Lo Nigro,