کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1523337 995322 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current redistribution by intermetallic compounds in Through-Silicon-Via (TSV)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Current redistribution by intermetallic compounds in Through-Silicon-Via (TSV)
چکیده انگلیسی
► The intermetallic compound, Al2Cu, has similar resistivity with Ni. ► The growth of the intermetallic compound, Al2Cu, detours the current paths and reduces the current crowding. ► A mathematic model successfully predicts the occurrence of early failure in the samples, based on the methodology. ► Simulation results proved the experimental phenomena and the mathematic analyses.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 132, Issue 1, 16 January 2012, Pages 162-165
نویسندگان
, , , ,