کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523337 | 995322 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current redistribution by intermetallic compounds in Through-Silicon-Via (TSV)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The intermetallic compound, Al2Cu, has similar resistivity with Ni. ⺠The growth of the intermetallic compound, Al2Cu, detours the current paths and reduces the current crowding. ⺠A mathematic model successfully predicts the occurrence of early failure in the samples, based on the methodology. ⺠Simulation results proved the experimental phenomena and the mathematic analyses.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 132, Issue 1, 16 January 2012, Pages 162-165
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 132, Issue 1, 16 January 2012, Pages 162-165
نویسندگان
C.Y. Tsai, B.Y. Lou, H.H. Hsu, Albert T. Wu,