کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523665 | 1511828 | 2012 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Germanium strips for channeling: Study of the crystal quality after slicing and chemical etching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Strips of Ge single crystal cut either by diamond saw or by wire electrical discharge machine. ⺠Introduced crystal structure damage is investigated by c-RBS, micro-Raman spectroscopy, HRXRD. ⺠Damage removal through wet chemical etching. ⺠Study of morphology and structure evolution with etching time. ⺠Choice of the best procedure to achieve optimal crystal quality for high energy protons channeling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 132, Issues 2â3, 15 February 2012, Pages 641-651
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 132, Issues 2â3, 15 February 2012, Pages 641-651
نویسندگان
S. Carturan, D. De Salvador, O. Lytovchenko, A. Mazzolari, G. Maggioni, M. Giarola, G. Mariotto, A. Carnera, G. Della Mea, V. Guidi,