کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1524013 | 995333 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new DRAM-type memory devices based on polymethacrylate containing pendant 2-methylbenzothiazole
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The side-functional moieties of pBVMA regularly arranged in film state. ⺠The device exhibits volatile memory behavior with an ON/OFF current ratio up to 105. ⺠The film thickness has nothing to do with the device's memory behavior. ⺠Physical theoretical models and molecular simulation supported the memory mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 134, Issue 1, 15 May 2012, Pages 273-278
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 134, Issue 1, 15 May 2012, Pages 273-278
نویسندگان
Dong Wang, Hua Li, Najun Li, Ying Zhao, Qianhao Zhou, Qingfeng Xu, Jianmei Lu, Lihua Wang,